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元件参数资料
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参数目录42990
> SPB17N80C3 MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
型号:
SPB17N80C3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SPB17N80C3 PDF
产品培训模块
CoolMOS™ CP Switching Behavior
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
产品目录绘图
Mosfets D-PAK, D2-PAK, TO-252
标准包装
1
系列
CoolMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
17A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
290 毫欧 @ 11A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3.9V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
177nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2300pF @ 100V
功率 - 最大
227W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
P-TO263-3
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1616 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
SPB17N80C3INCT
SPB17N80C3XTINCT
SPB17N80C3XTINCT-ND
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